MS junction에서 Energy band와 voltage, doping concentration
좌- semiconductor, 우, metal인 경우에 conduction band와 valance band의 접합으로 energy bnad가 fermi level에 따라서 기울어지거나 휘게된다. 이 때, 중요한 요소는 doping concentration과 voltage이다. 두가지 중에서 doping concentration에 따른E-band를 보면 아래와 같다. 도핑된 반도체는 p-type으로 도핑되었다. 도핑농도가 0일때는 energy band가 기울기만하고 휘지않는다. 따라서 밴드가 휘지않기 때문에 depletion 영역(space charge region)또한 생기지 않는다고 가정할 수 있다. e-16으로 도핑을해주게되면 기울기가 더 심해지기는하나 휘지 않는다. (intrinsic 캐리어 농..
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2024. 1. 14. 18:51
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